[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 200920167840.1 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN201490230U | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 姜滨;吉爱华 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种发光二极管，其具体结构是，在衬片层的上面自下而上地形成有N+GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-AlGaAs/GaAs布拉格反射层、AlGaAs/InGaAs量子阱有源层和P+GaAs帽层，在上述AlGaAs/InGaAs量子阱有源层和P+GaAs帽层之间还形成有P-AlGaAs/GaAs布拉格反射层。该实用新型利用布拉格反射层的反射作用，防止大部分光从衬底部分散射出去。同时，该两个布拉格反射层构成了法布里-珀罗谐振腔，对有源层发出的光进行调制，聚集并放大更多的光，因而提高了出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，在衬片层的上面自下而上地形成有N+GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-AlGaAs/GaAs布拉格反射层、AlGaAs/InGaAs量子阱有源层、P-AlGaAs/GaAs布拉格反射层和P+GaAs帽层。
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