[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 200920167840.1 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN201490230U | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 姜滨;吉爱华 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，其特征在于，
在衬片层的上面自下而上地形成有N+GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-AlGaAs/GaAs布拉格反射层、AlGaAs/InGaAs量子阱有源层、P-AlGaAs/GaAs布拉格反射层和P+GaAs帽层。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述AlGaAs/InGaAs量子阱有源层的厚度为940～960nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述布拉格反射层的厚度为2μm～3μm。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述P+GaAs帽层的厚度为0.5～1.5μm。
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