[实用新型]一种顶栅结构薄膜晶体管无效

专利信息
申请号: 200920132776.3 申请日: 2009-06-11
公开(公告)号: CN201438464U 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 刘立峰;商陆平;朱泽力 申请(专利权)人: 深圳莱宝高科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/423;H01L23/528
代理公司: 深圳市永杰专利商标事务所 44238 代理人: 王峰
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种顶栅结构薄膜晶体管,包括作为遮光层和栅极布线的底部金属层、第一绝缘层、像素电极、源电极和漏电极ITO层、非晶硅层、第二绝缘层、栅极布线顶部金属层和数据布线顶部金属层,第一绝缘层覆盖底部金属层,ITO层覆盖第一绝缘层,非晶硅层覆盖漏电极与源电极,第二绝缘层覆盖非晶硅层及非晶硅层未覆盖的漏电极与源电极,布置ITO层的区域去除第二绝缘层,栅极布线顶部金属层和数据布线顶部金属覆盖第二绝缘层并间隔设置,数据布线顶部金属经过孔一与源电极电连接;栅极布线顶部金属层经过孔二与底部金属层电连接。本实用新型提高了像素开口率和可靠性、降低了布线电阻、工艺较简单、漏电流较小。
搜索关键词: 一种 结构 薄膜晶体管
【主权项】:
一种顶栅结构薄膜晶体管,包括作为遮光层的底部金属层、第一绝缘层、形成像素电极、漏电极和源电极的氧化铟锡导电膜层、非晶硅层、第二绝缘层和作为栅极布线的顶部金属层,所述第一绝缘层覆盖在所述底部金属层之上,所述氧化铟锡导电膜层覆盖在所述第一绝缘层之上,该漏电极与该源电极相邻间隔布置,所述非晶硅层覆盖在所述漏电极与所述源电极之上,所述第二绝缘层覆盖在所述非晶硅层、及所述非晶硅层未覆盖的所述漏电极与所述源电极之上,布置所述氧化铟锡导电膜层的区域包括去除所述第二绝缘层的开口,所述作为栅极布线的顶部金属层覆盖在所述第二绝缘层上;其特征在于,还包括覆盖在所述第二绝缘层上、与所述作为栅极布线的顶部金属层间隔设置、作为数据布线的顶部金属层,该作为数据布线的顶部金属层通过设置在所述第二绝缘层上的第一过孔与所述源电极电连接;所述作为遮光层的底部金属层同时作为栅极布线;所述作为栅极布线的顶部金属层通过穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔与所述作为栅极布线的底部金属层电连接。
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