[实用新型]一种顶栅结构薄膜晶体管无效
申请号: | 200920132776.3 | 申请日: | 2009-06-11 |
公开(公告)号: | CN201438464U | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 刘立峰;商陆平;朱泽力 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/423;H01L23/528 |
代理公司: | 深圳市永杰专利商标事务所 44238 | 代理人: | 王峰 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 薄膜晶体管 | ||
1.一种顶栅结构薄膜晶体管,包括作为遮光层的底部金属层、第一绝缘层、形成像素电极、漏电极和源电极的氧化铟锡导电膜层、非晶硅层、第二绝缘层和作为栅极布线的顶部金属层,所述第一绝缘层覆盖在所述底部金属层之上,所述氧化铟锡导电膜层覆盖在所述第一绝缘层之上,该漏电极与该源电极相邻间隔布置,所述非晶硅层覆盖在所述漏电极与所述源电极之上,所述第二绝缘层覆盖在所述非晶硅层、及所述非晶硅层未覆盖的所述漏电极与所述源电极之上,布置所述氧化铟锡导电膜层的区域包括去除所述第二绝缘层的开口,所述作为栅极布线的顶部金属层覆盖在所述第二绝缘层上;
其特征在于,还包括覆盖在所述第二绝缘层上、与所述作为栅极布线的顶部金属层间隔设置、作为数据布线的顶部金属层,该作为数据布线的顶部金属层通过设置在所述第二绝缘层上的第一过孔与所述源电极电连接;
所述作为遮光层的底部金属层同时作为栅极布线;
所述作为栅极布线的顶部金属层通过穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔与所述作为栅极布线的底部金属层电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的