[实用新型]一种单晶硅生长炉的加热系统无效

专利信息
申请号: 200920101831.2 申请日: 2009-03-10
公开(公告)号: CN201362755Y 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 张浩强;颜玉峰;杨立辉 申请(专利权)人: 宁晋松宫电子材料有限公司
主分类号: C30B15/18 分类号: C30B15/18
代理公司: 石家庄科诚专利事务所 代理人: 王文庆
地址: 055550河*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种单晶硅生长炉的加热系统,包括加热器1、电极柱2,加热器1包括加热器本体和电极脚,螺栓3将电极脚固定到电极柱2上,在螺栓3和电极脚上配装有密封罩4,密封罩4将螺栓3与电极脚整体包裹,密封罩4与加热器本体上的接触部位保持密闭,密封罩4的内腔形状与螺栓端部和电极脚形状相配。硅液从上方流下来时,不会流进螺栓3与加热器本体之间缝隙,也不能直接流到螺栓3和电极脚的联接部位,从而防止螺检3与加热器电极脚的粘连,使加热器1延长使用寿命。
搜索关键词: 一种 单晶硅 生长 加热 系统
【主权项】:
1、一种单晶硅生长炉的加热系统,包括加热器(1)、电极柱(2),加热器(1)包括加热器本体和电极脚,螺栓(3)将电极脚固定到电极柱(2)上,其特征在于:在螺栓(3)和电极脚上配装有密封罩(4),密封罩(4)将螺栓(3)与电极脚整体包裹。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁晋松宫电子材料有限公司,未经宁晋松宫电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920101831.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top