[实用新型]中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉有效
| 申请号： | 200920088846.X | 申请日： | 2009-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN201367495Y | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李百泉;吕云安;陈颖超;刘琴琴;王利娜 | 申请（专利权）人： | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 | 代理人： | 吕振安 |
| 地址： | 453000河南省新乡市卫滨*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉，涉及砷化镓单晶生长装置。它包括籽晶杆、石墨加热器，在籽晶杆的周围安装多个套接的桶状石墨加热器，相邻的两个石墨加热器的连接处安装有电极板，电极板与电极杆连接。每个石墨加热器配有两个电极板和两个电极杆。所述的多个石墨加热器至少为2个。本实用新型结构简单，生产高品质的砷化镓单晶成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 中压冷壁半 绝缘 砷化镓单晶 生长 | ||
【主权项】：
1、中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉，它包括籽晶杆、石墨加热器，其特征在于：在籽晶杆的周围安装多个套接的桶状石墨加热器，相邻的两个石墨加热器的连接处安装有电极板，电极板与电极杆连接。
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