[实用新型]中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉

说明书

技术领域：

本实用新型涉及砷化镓单晶生长装置，特别是一种中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉。

背景技术：

目前砷化镓单晶是以执行水平布里奇曼法、垂直布里奇曼法或垂直梯度凝固法工艺的热壁炉进行生产的，由于热壁砷化镓单晶生长工艺必须在密闭的石英管中进行的，所以在高温砷化镓熔体中就不可避免掺入硅杂质，影响非掺半绝缘砷化镓单晶的电阻率，载流子浓度等参数，从而给热壁炉在生长非掺半绝缘砷化镓中制造了难题；液体密封直拉法单晶生长工艺采用冷壁炉生长非掺半绝缘砷化镓单晶，可避免硅杂质的掺入，但是生长出的单晶位错密度过大，在很大程度上限制了液体密封直拉设备在砷化镓领域中的应用。

发明内容：

本实用新型的任务是设计一种可避免杂质掺入的生产砷化镓单晶的中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉。

本实用新型的任务是这样完成的，中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉，它包括籽晶杆、石墨加热器，其特征在于：在籽晶杆的周围安装多个套接的桶状石墨加热器，相邻的两个石墨加热器的连接处安装有电极板，电极板与电极杆连接。每个石墨加热器配有两个电极板和两个电极杆。所述的多个石墨加热器至少为2个。

本实用新型结构简单，生产高品质的砷化镓单晶成品率高。

附图说明：

附图是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式：

结合附图详细描述实施例，本实用新型的任务是这样完成的，它包括籽晶杆1、石墨加热器3，在籽晶杆的周围安装多个套接的桶状石墨加热器，相邻的两个石墨加热器的连接处安装有电极板4，电极板与电极杆2连接。每个石墨加热器配有两个电极板和两个电极杆。所述的多个石墨加热器至少为两个。当电极杆通电以后，通过电极板导通石墨加热器，使石墨加热器升温，对位于籽晶杆的上的坩埚进行加热。本实用新型的结构简单，可生产高品质的砷化镓单晶。