[实用新型]利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备无效
| 申请号： | 200920041472.6 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN201381377Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 黄强 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种单晶晶体硅棒的制备设备，尤其是一种利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，克服现有设备对含杂硅材料除杂不完全、而且将除杂和拉制分步进行带来生产资源的极大浪费和产品质量不稳定的缺陷，设备具有的功能是在运用直拉法拉制单晶硅棒的前期和/或同时还使用辅助提杂装置对含杂硅溶液表面提取杂质，该设备具有炉体、炉体炉腔内的石墨坩埚、石墨坩埚下部的坩埚托盘、石墨加热器和石墨坩埚上部的保温上盖，保温上盖中部具有便于硅棒拉出的通孔，在石墨坩埚的上部还设置有至少一个向下伸向石墨坩埚埚内的杂质提取棒。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 杂质 材料 制备 纯度 单晶硅 设备 | ||
【主权项】：
1、一种利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，具有炉体(1)、炉体(1)炉腔内的石墨坩埚(2)、石墨坩埚(2)下部的坩埚托盘(3)、石墨加热器(4)和石墨坩埚(2)上部的保温上盖(4)，所述保温上盖(4)中部具有便于硅棒(5)拉出的通孔，其特征是：在所述石墨坩埚(2)的上部还设置有至少一个向下伸向石墨坩埚埚(2)内的杂质提取棒(6)。
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