[实用新型]利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备无效
| 申请号： | 200920041472.6 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN201381377Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 黄强 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 杂质 材料 制备 纯度 单晶硅 设备 | ||
【权利要求书】：
1、一种利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，具有炉体(1)、炉体(1)炉腔内的石墨坩埚(2)、石墨坩埚(2)下部的坩埚托盘(3)、石墨加热器(4)和石墨坩埚(2)上部的保温上盖(4)，所述保温上盖(4)中部具有便于硅棒(5)拉出的通孔，其特征是：在所述石墨坩埚(2)的上部还设置有至少一个向下伸向石墨坩埚埚(2)内的杂质提取棒(6)。
2、根据权利要求1所述的利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，其特征是：所述的杂质提取棒(6)为两个以上，并且所述的两个以上的杂质提取棒(6)成环形等分设置。
3、根据权利要求1或2所述的利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，其特征是：所述的杂质提取棒(6)固定在保温上盖(4)上。
4、根据权利要求1或2所述的利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，其特征是：所述的杂质提取棒(6)可上下移动并绕轴线旋转式设置于炉体(1)的上部炉壁。
5、根据权利要求1所述的利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的设备，其特征是：所述的杂质提取棒(6)为单晶硅棒、多晶硅棒、石墨棒、覆盖了硅材料的石墨棒、SiC棒或Al2O3棒。
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