[实用新型]一种IGBT过压保护电路

摘要

本实用新型公开了一种IGBT过压保护电路，包括IGBT、IGBT驱动电路，所述IGBT驱动电路与IGBT基极相连，所述IGBT的额定电流在15安培至30安培范围内，IGBT V_CE电压监测电路和IGBT V_CE电压抑制电路；电压监测电路包括比较器和电压采样电阻，比较器的反相输入端经第一电压采样电阻与IGBT的集电极相连，反相输入端还经第二电压采样电阻接地，电压抑制电路包括压敏电阻和可控硅，压敏电阻和可控硅串联于IGBT集电极与发射极之间。相较于现有技术，本实用新型的IGBT保护电路直接对IGBT集电极和发射极两端电压进行监测，对超过限制范围的电压进行吸收，从而防止IGBT过压而被击穿的情况发生，从根本上解决了因浪涌而导致炸机的问题，同时也解决了由于误触发而导致的间歇加热问题。

主权项

1、一种IGBT过压保护电路，包括IGBT、IGBT驱动电路，所述IGBT驱动电路与IGBT基极相连，其特征在于，所述IGBT的额定电流在15安培至30安培范围内，所述IGBT过压保护电路还包括IGBT VCE电压监测电路和IGBT VCE电压抑制电路；所述电压监测电路包括比较器和电压采样电阻，所述比较器的反相输入端经第一电压采样电阻与IGBT的集电极相连，该反相输入端还经第二电压采样电阻接地，所述电压抑制电路包括压敏电阻和可控硅，所述压敏电阻和可控硅串联于IGBT集电极与发射极之间。