[实用新型]一种IGBT过压保护电路

权利要求书

1、一种IGBT过压保护电路，包括IGBT、IGBT驱动电路，所述IGBT驱动电路与IGBT基极相连，其特征在于，所述IGBT的额定电流在15安培至30安培范围内，所述IGBT过压保护电路还包括IGBT VCE电压监测电路和IGBT VCE电压抑制电路；所述电压监测电路包括比较器和电压采样电阻，所述比较器的反相输入端经第一电压采样电阻与IGBT的集电极相连，该反相输入端还经第二电压采样电阻接地，所述电压抑制电路包括压敏电阻和可控硅，所述压敏电阻和可控硅串联于IGBT集电极与发射极之间。

2、根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述压敏电阻一端与可控硅的阳极相连，另一端与IGBT的集电极相连，所述可控硅的阴极与IGBT的发射极相连且接地，所述可控硅的控制极与所述电压监测电路相连。

3、根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述压敏电阻CNR连接于IGBT发射极和可控硅D1阴极之间，所述IGBT发射极接地连接，所述可控硅的控制极与所述电压监测电路相连。

4、根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，其还包括保护驱动电路，所述保护驱动电路连接在比较器输出端和可控硅控制极之间。

5、根据权利要求4所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述保护驱动电路为三极管，所述三极管的基极与比较器的输出端相连。

6、根据权利要求5所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述保护驱动电路还包括第四电阻，所述第四电阻连接在比较器的输出端与所述三极管基极之间。

7、根据权利要求5所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述保护驱动电路还包括第五电阻，所述第五电阻连接在三极管的集电极与可控硅控制极之间。

8、根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述电压监测电路还包括第三电阻，所述比较器的同相输入端经第三电阻与参考电压端相连。

9、根据权利要求1所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述电压抑制电路还包括第六电阻和第三电容，所述第六电阻和第三电容并联连接，且与可控硅并联。

10、根据权利要求1至9中任一所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述可控硅为单向可控硅或者为双向可控硅。