[实用新型]集成电路芯片结构

摘要

本实用新型提出一种集成电路芯片结构，其包括：半导体衬底；N型或P型掺杂区，多晶硅，绝缘层和多层金属布线等结构，制作在所述半导体衬底上；钝化层，沉积在上述结构上，其具有多个光刻形成的连接孔；多个顶层金属区域，电镀形成于所述多个连接孔上，其中所述多个顶层金属区域下部具有阻挡层，上部具有保护层。本实用新型提出的集成电路芯片结构，其顶层金属层能够有效增加功率器件局部金属层的厚度，能够用作可放置在有源器件上的压焊金属层，从而减少芯片面积，直接使用铜封装技术，集成电路降低生产成本。

主权项

1.一种集成电路芯片结构，其特征在于包括：半导体衬底；N型或P型掺杂区，多晶硅，绝缘层和多层金属布线等结构，制作在所述半导体衬底上；钝化层，沉积在上述结构上，其具有多个光刻形成的连接孔；多个顶层金属区域，电镀形成于所述多个连接孔上，其中所述多个第二金属区域下部具有阻挡层，上部具有保护层。