[发明专利]一种闭环式有机场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910312830.7 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102117888A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 商立伟;姬濯宇;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种闭环式有机场效应晶体管及其制作方法，属于有机电子学技术领域。所述晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层和源漏电极层，其中源漏电极层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极的形状均为环形，且漏电极被包围在源电极的内部，与源电极以外的有机半导体材料相隔离。本发明还提供了一种闭环式有机场效应晶体管的制作方法。本发明提供的闭环式的晶体管结构可以实现较高的电流开关比，使有机半导体器件之间有效隔离，并且无需对有机半导体进行图形化处理，改善了加工成品率和产品的重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闭环 有机 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闭环式有机场效应晶体管，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层和源漏电极层，其特征在于：所述源漏电极层包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极的形状均为环形，且所述漏电极被包围在所述源电极的内部，与所述源电极以外的有机半导体材料相隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910312830.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
