[发明专利]一种闭环式有机场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种闭环式有机场效应晶体管，包括：衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层和源漏电极层，其特征在于：所述源漏电极层包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极的形状均为环形，且所述漏电极被包围在所述源电极的内部，与所述源电极以外的有机半导体材料相隔离。

2.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极处在同上一平面上。

3.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极的形状均为方形环。

4.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极的形状均为圆环。

5.根据权利要求3或4所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极分别包括若干个同心的环形，且所述源电极的若干个环形彼此相连，所述漏电极的若干个环形彼此相连。

6.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极的引脚均在由夹在所述漏电极和源电极之间的有机半导体材料构成的沟道区以外。

7.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的背面具有栅电极，所述衬底的正面依次具有栅介质层、有机半导体层和源漏电极层，其中所述源漏电极层形成于有机半导体层的上表面。

8.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的背面具有所述栅电极，所述衬底的正面依次具有所述栅介质层、源漏电极层和以及有机半导体层，其中所述源漏电极层形成于所述栅介质层与有机半导体层之间。

9.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的正面依次具有所述栅电极、栅介质层、有机半导体层和源漏电极层，其中所述栅电极位于所述衬底上表面与栅介质层之间，所述源漏电极层形成于所述有机半导体层的上表面。

10.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的正面依次具有所述栅电极、栅介质层、源漏电极层以及和有机半导体层，其中所述栅电极位于所述衬底上表面与栅介质层之间，所述源漏电极层形成于所述栅介质层的上表面与有机半导体层之间。

11.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的正面依次具有所述栅介质层、源漏电极层、有机半导体层和栅电极，其中所述源漏电极层形成于所述栅介质层的上表面与有机半导体层之间，所述栅电极位于有机半导体层的上表面。

12.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的正面依次具有所述源漏电极层、栅介质层、有机半导体层和栅电极，其中所述源漏电极层形成于所述衬底的上表面与栅介质层之间，所述栅电极位于所述有机半导体层的上表面。

13.根据权利要求3所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅电极区域的水平投影的长度大于等于所述源电极的环形所围成的区域的水平投影的长度。

14.根据权利要求4所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅电极区域的水平投影的直径大于等于所述源电极的环形所围成的区域的水平投影的直径。

15.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述衬底的材料包括硅片、玻璃、PEN塑料薄膜和PET塑料薄膜中的任意一种。

16.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅电极的材料包括金属导电材料、氧化物导电膜和PEDOT:PSS导电有机物中的任意一种。

17.根据权利要求16所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述金属导电材料包括金、铂、银、铜、镍、铝、钛、铁和铬中的任意一种；所述氧化物导电膜包括氧化铟锡或氧化锌锡。

18.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述有机半导体层的材料包括并五苯、酞菁铜、P3HT、噻吩和红荧稀中的任意一种。

19.根据权利要求1所述的闭环式有机场效应晶体管，其特征在于：所述源、漏电极的材料包括金属导电材料或PEDOT:PSS导电有机物。