[发明专利]一种新型GaAs肖特基二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910310992.7 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102088038A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 董军荣;杨浩;田超;黄杰;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型GaAs肖特基二极管及其制作方法，属于应用于微波器件的二极管技术领域。所述肖特基二极管包括GaAs绝缘衬底，设置于GaAs绝缘衬底上的重掺杂N型层和下电极，设置于重掺杂N型层上的N型层，设置于N型层上的介质层，设置于介质层上的上电极，其中，N型层在重掺杂N型层上形成台面结构，重掺杂N型层在GaAs绝缘衬底上形成台面结构。利用本发明提供的新型GaAs肖特基二极管，可以在不增加工艺难度的情况下，减少表面态对势垒的影响，减少反向漏电流，提高GaAs肖特基二极管的反向变容比，从而使GaAs肖特基二极管在反偏电压下表现正常的可变电容特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gaas 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种新型GaAs肖特基二极管，包括GaAs绝缘衬底(101)，设置于所述GaAs绝缘衬底(101)上的重掺杂N型层(102)和下电极(106)，设置于所述重掺杂N型层(102)上的N型层(103)，其特征在于，所述肖特基二极管还包括介质层(104)，所述介质层(104)设置于所述N型层(103)上，所述介质层(104)上还设置有上电极(105)，其中，所述N型层(103)在所述重掺杂N型层(102)上形成台面结构，所述重掺杂N型层(102)在所述GaAs绝缘衬底(101)上形成台面结构。
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