[发明专利]一种新型GaAs肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种新型GaAs肖特基二极管，包括GaAs绝缘衬底(101)，设置于所述GaAs绝缘衬底(101)上的重掺杂N型层(102)和下电极(106)，设置于所述重掺杂N型层(102)上的N型层(103)，其特征在于，所述肖特基二极管还包括介质层(104)，所述介质层(104)设置于所述N型层(103)上，所述介质层(104)上还设置有上电极(105)，其中，所述N型层(103)在所述重掺杂N型层(102)上形成台面结构，所述重掺杂N型层(102)在所述GaAs绝缘衬底(101)上形成台面结构。

2.根据权利要求1所述的新型GaAs肖特基二极管，其特征在于，所述介质层(104)为Si3N4介质层。

3.根据权利要求1所述的新型GaAs肖特基二极管，其特征在于，所述上电极(105)采用Ti/Pt/Au三层金属结构。

4.根据权利要求1所述的新型GaAs肖特基二极管，其特征在于，所述下电极(106)采用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au六层金属结构。

5.根据权利要求1所述的新型GaAs肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管还包括设置于所述GaAs绝缘衬底(101)、重掺杂N型层(102)、下电极(106)和上电极(105)上的隔离层(107)，所述隔离层(107)在所述下电极(106)和上电极(105)上形成引线窗口，所述引线窗口处形成引线金属层(108)。

6.一种新型GaAs肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

步骤10：在GaAs绝缘衬底(101)上通过外延生长形成重掺杂N型层(102)；

步骤20：在所述重掺杂N型层(102)上通过外延生长形成N型层(103)；

步骤30：采用湿法刻蚀减小在所述重掺杂N型层(102)上的N型层(103)的面积，使得所述N型层(103)在所述重掺杂N型层(102)上形成台面结构；

步骤40：在所述N型层(103)上淀积形成介质层(104)；

步骤50：在所述重掺杂N型层(102)和N型层(103)上通过蒸发形成下电极(106)和上电极(105)；

步骤60：采用湿法刻蚀减小在所述GaAs绝缘衬底(101)上的重掺杂N型层(102)的面积，使得所述重掺杂N型层(102)在所述GaAs绝缘衬底(101)上形成台面结构。

7.根据权利要求6所述的新型GaAs肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述介质层(104)为Si3N4介质层。

8.根据权利要求6所述的新型GaAs肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤50中在所述重掺杂N型层(102)上通过蒸发形成下电极(106)的步骤具体为：在所述重掺杂N型层(102)上依次蒸发金属Ni、Ge、Au、Ge、Ni和Au，从而形成Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au六层金属结构。

9.根据权利要求6所述的新型GaAs肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤50中在所述N型层(103)上通过蒸发形成上电极(105)的步骤具体为：在所述N型层(103)上依次蒸发金属Ti、Pt和Au，从而形成Ti/Pt/Au三层金属结构。

10.根据权利要求6所述的新型GaAs肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法进一步包括：所述重掺杂N型层(102)在所述GaAs绝缘衬底(101)上形成台面结构后，在整个GaAs肖特基二极管的表面淀积形成隔离层(107)，再采用干法刻蚀，将所述下电极(106)和上电极(105)表面淀积的隔离层(107)刻蚀掉，从而形成引线窗口，最后，在所述引线窗口处，通过电镀的方法形成引线金属层(108)。