[发明专利]一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法无效
| 申请号： | 200910310151.6 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101728517A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李劼;张治安;高宏权;王新宇;赖延清 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01M4/1391 | 分类号： | H01M4/1391;H01M4/62 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，包括：将钛酸锂粉末与固态氮源按比例在分散介质中超声或球磨混合均匀，将制得的浆料70-120℃烘干、研磨后，在惰性保护性气氛下，升温至600-900℃保温10min-1h，然后随炉冷却，得到表面自生长氮化钛导电膜修饰的钛酸锂。本发明通过热氮反应，在钛酸锂表面自生长一层高导电薄膜TiN，TiN薄膜不仅和钛酸锂结合紧密牢固，而且制得的高导电Li4Ti5O12/TiN材料具有高的倍率充放电性能和优异的循环性能，其制备方法成本低廉、操作简单、安全、容易实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 生长 氮化 导电 修饰 钛酸锂 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：按固态氮源的加入量为钛酸锂重量的1-20％比例，将钛酸锂粉末与固态氮源在分散介质中超声或球磨混合均匀，将制得的浆料70～120℃烘干、研磨后，在惰性保护性气氛下，升温至600～900℃保温10min～1h，然后随炉冷却，得到表面自生长氮化钛导电膜修饰的钛酸锂。
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