[发明专利]一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法

权利要求书

1.一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于包括以下步骤：按固态氮源的加入量为钛酸锂重量的1-20％比例，将钛酸锂粉末与固态氮源在分散介质中超声或球磨混合均匀，将制得的浆料70～120℃烘干、研磨后，在惰性保护性气氛下，升温至600～900℃保温10min～1h，然后随炉冷却，得到表面自生长氮化钛导电膜修饰的钛酸锂。

2.根据权利要求1所述的一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于：固态氮源为尿素、缩二脲、单氰胺、二聚氰胺、三聚氰胺、三聚氰酸一酰胺、三聚氰酸二酰胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于：固态氮源的加入量为钛酸锂重量的2-10％。

4.根据权利要求1所述的一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于：分散介质为乙醇、水、丙酮、异丙醇、正丁醇、正丙醇、正庚醇中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于：钛酸锂粉末成分Li4Ti5-xMxO12或者Li4-yMyTi5O12；其中M为Cr、Fe、Al、Pr或Ni，0≤X≤0.5，0≤Y≤0.33。

6.根据权利要求1所述的一种表面自生长氮化钛导电膜修饰钛酸锂的制备方法，其特征在于：气氛炉以2～5℃/min的速率升温。