[发明专利]一种光电位移传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910308373.4 申请日: 2009-10-16
公开(公告)号: CN101672624A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 吴茹菲;洪何清 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02;H01L31/18
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种光电位移传感器及其制备方法,属于传感器技术领域。所述光电位移传感器包括激光器、光纤和位移刻度板,激光器安装于被测物体的主轴上,并可沿被测物体的主轴进行运动;激光器产生的激光束通过光纤照射到位移刻度板上;位移刻度板上的位移刻度由具有光电导效应的半导体材料制成,位移刻度板用于感应通过光纤传输的激光束,并产生光电流。本发明光电位移传感器的结构简单紧凑、体积小、便于携带且测量精度相对传统的位移传感器大幅度提高,由于采用光电技术实现了非接触式位移传感,可以延长传感器的使用寿命,同时能够应用于微电子的大规模生产技术中,使得生产成本下降,传感器的价格相对国外类似高端产品的价格低廉。
搜索关键词: 一种 光电 位移 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种光电位移传感器,其特征在于,所述传感器包括激光器(1)、光纤(2)和位移刻度板(3),所述激光器(1)安装于被测物体的主轴(8)上,并沿被测物体的主轴(8)进行运动;所述激光器(1)产生的激光束通过所述光纤(2)照射到所述位移刻度板(3)上;所述位移刻度板(3)上的位移刻度由具有光电导效应的半导体材料制成,所述位移刻度板(3)用于感应通过所述光纤(2)传输的激光束,并产生光电流。
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