[发明专利]一种光电位移传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电位移传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤10：制备位移刻度板(3)，所述位移刻度板(3)上的位移刻度由具有光电导效应的半导体材料制成；

所述步骤10包括以下步骤：

步骤101：清洗具有光电导效应的半导体材料表面，并在所述半导体材料表面旋涂光刻胶后进行第一次光刻，形成离子注入的区域图形；

步骤102：在所述区域图形中通过离子注入后形成高掺杂区；

步骤103：在经过上述加工后的半导体材料上旋涂光刻胶后进行第二次光刻，形成位移刻度线条图形；

步骤104：在所述位移刻度线条图形上通过蒸发金属制作位移刻度线(7)；

步骤105：通过合金退火工艺使金属位移刻度线与半导体材料之间形成欧姆接触；

步骤106：在整个位移刻度板表面通过等离子化学汽相淀积形成Si₃N₄绝缘层；

步骤107：在所述Si₃N₄绝缘层的表面旋涂光刻胶后进行第三次光刻，形成刻孔区域图形，再采用反应离子刻蚀工艺形成引线刻孔(5)；

步骤108：在所述Si₃N₄绝缘层的表面旋涂光刻胶后进行第四次光刻形成压焊图形，并通过电镀法制备压焊块(6)；

步骤20：根据所述位移刻度板(3)上具有光电导效应的半导体材料的光电导最强时的波长选取具有相应激光束波长的激光器(1)，并将所述激光器(1)安装于被测物体的主轴(8)上。

2.根据权利要求1所述的光电位移传感器的制备方法，其特征在于，所述具有光电导效应的半导体材料为本征硅片。

3.根据权利要求1所述的光电位移传感器的制备方法，其特征在于，所述离子注入的区域图形为通过干法腐蚀或者湿法腐蚀形成的深度为600微米的槽。

4.根据权利要求3所述的光电位移传感器的制备方法，其特征在于，所述通过干法腐蚀半导体材料形成离子注入的区域图形的工艺条件包括腐蚀气体为SF₆、腐蚀气体的流量为60sccm、腐蚀气体的速率是2000/min以及射频功率为30W。

5.根据权利要求1所述的光电位移传感器的制备方法，其特征在于，所述合金退火工艺中退火的温度为380℃，退火的气体环境为：先通入氮气，接着通入氮气和氢气的混合气体，最后再通入氮气。