[发明专利]曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器

摘要

一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器，属于测量技术领域。本发明包括：带SiO₂层的硅衬底、软磁多层膜和引脚，其中：软磁多层膜位于带SiO₂层的硅衬底上，引脚的一端与软磁多层膜固定连接，另一端固定于带有SiO₂层的硅衬底上，软磁多层膜为方波形的曲折多匝结构，其匝数为10匝，匝间距离为60μm，峰-峰值为5mm，所述引脚的个数为21个。本发明测量参数可调、磁场灵敏高度、阻抗变化率大、可应用于大面积非均匀磁场的探测。

主权项

1.一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器，包括：带SiO2层的硅衬底、软磁多层膜和引脚，其中：软磁多层膜为方波形的曲折多匝结构，并位于带SiO2层的硅衬底上，引脚的一端与软磁多层膜固定连接，另一端固定于带有SiO2层的硅衬底上，其特征在于，软磁多层膜的匝数为10匝，匝间距离为60μm，峰-峰值为5mm，引脚的个数为21个。