[发明专利]半导体高压器件芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910301947.5 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101866948A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王成森;黎重林;王琳;薛治祥;颜呈祥 | 申请（专利权）人： | 启东市捷捷微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;H01L21/31;H01L21/306 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 郭俊玲 |
| 地址： | 226200 江苏省启*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体高压器件芯片，该芯片的内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带，内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。本发明还涉及半导体高压器件芯片制造方法：在湿法同时腐蚀正、背面沟槽步骤中将内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带；并且湿法同时腐蚀正、背面沟槽步骤与正面蒸镀铝膜步骤之间还增加了沉积SIPOS膜和玻璃钝化膜沉积步骤。本发明优点是可直接提高击穿电压，使在制造中的硅片破碎率降低、提高散热能力、降低了划切难度、提高了划切速度、划切后没有崩裂现象，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 高压 器件 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体高压器件芯片，包括硅单晶片、形成于硅单晶片中的正面P型扩散层、背面P型扩散层、正面内部环形的内沟槽、背面内部的外沟槽，其特征是：所述内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带，所述内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，所述掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。
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