[发明专利]半导体高压器件芯片及其制造方法

权利要求书

1.半导体高压器件芯片，包括硅单晶片、形成于硅单晶片中的正面P型扩散层、背面P型扩散层、正面内部环形的内沟槽、背面内部的外沟槽，其特征是：所述内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带，所述内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，所述掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。

2.根据权利要求1所述的半导体高压器件芯片，其特征是所述间隔带宽度为90-110um，所述内沟槽的宽度为100-400um，外沟槽的半宽度为90-260um，沟槽深度为80～200um，所述掺氧半绝缘多晶硅钝化膜的厚度为1.3～1.8um，所述玻璃保护膜的厚度为40～60um。

3.半导体高压器件芯片制造方法，包括步骤如下：硅单晶片化学腐蚀、P型层(短基区)镓扩散、P型层(短基区)表面补硼扩散、光刻N+发射区窗口、N+发射区扩散、双面光刻沟槽窗口、湿法同时腐蚀正、背面沟槽、正面蒸镀铝膜、反刻正面铝电极、背面蒸镀金属电极、反刻背面金属电极、合金、芯片测试和锯片，其特征是在湿法同时腐蚀正、背面沟槽步骤中，在芯片正面内部蚀刻了多个环形的内沟槽、芯片背面内部蚀刻出了相邻芯片共用的外沟槽，所述内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带；

所述湿法同时腐蚀正、背面沟槽步骤与正面蒸镀铝膜步骤之间还增加了沉积掺氧半绝缘多晶硅钝化膜和玻璃钝化膜沉积步骤，所述内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，所述掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。

4.根据权利要求3所述的半导体高压器件芯片制造方法，其特征是：所述间隔带宽度为90-110um，所述内沟槽的宽度为100-400um，外沟槽的半宽度为90-260um，沟槽深度为80～200um，所述掺氧半绝缘多晶硅钝化膜的厚度为1.3～1.8um，所述玻璃保护膜的厚度为40～60um。