[发明专利]基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法无效
| 申请号： | 200910273064.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740702A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 徐瑾;张建宝;刘榕 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武;李南平 |
| 地址： | 430223 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可增加光抽取效率的基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长N型GaN材料、量子阱、P型GaN材料；在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；用熔胶凝胶法在透明电极上制备一层ZnO纳米球；腐蚀ZnO和P型透明电极，露出刻蚀区，然后刻蚀到N型GaN材料；制备P，N压焊点。该发明可以有效提高二极管的光抽取效率，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 zno 纳米 gan 发光二极管 表面 方法 | ||
【主权项】：
基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法，其特征在于：该方法的实现步骤如下：(1)在衬底上生长N型GaN材料、量子阱、P型GaN材料；(2)在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；(3)用熔胶凝胶法在透明电极上制备一层ZnO纳米球；(4)腐蚀ZnO和P型透明电极，露出刻蚀区，然后刻蚀到N型GaN材料；(5)制备P，N压焊点。
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