[发明专利]基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法无效
| 申请号： | 200910273064.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740702A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 徐瑾;张建宝;刘榕 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武;李南平 |
| 地址： | 430223 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 zno 纳米 gan 发光二极管 表面 方法 | ||
1.基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法，其特征在于：该方法的实现步骤如下：
(1)在衬底上生长N型GaN材料、量子阱、P型GaN材料；
(2)在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；
(3)用熔胶凝胶法在透明电极上制备一层ZnO纳米球；
(4)腐蚀ZnO和P型透明电极，露出刻蚀区，然后刻蚀到N型GaN材料；
(5)制备P，N压焊点。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：衬底是蓝宝石，碳化硅，或硅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：P型透明电极是金属材料或氧化物材料，金属材料为：Pd、Au或NiAu，厚度在10至1000A的范围内；氧化物材料为ZnO、NiO、MgO、In2O3、TiO2或ITO，厚度在1000A至15000A之间。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：金属材料厚度为100A，氧化物材料厚度为2500A。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：ZnO纳米球是通过溶胶凝胶法制备的。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：ZnO纳米球直径在20A至5000A之间，整个纳米层的厚度在50A至5000A之间。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：纳米层的厚度为500A。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通过湿法腐蚀P型透明电极和ZnO纳米层，然后通过干法刻蚀到N型GaN材料。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：P，N压焊点是TiAL，CrNiAL，CrAu，CrPtAu其中任何一种，总厚度10000A至50000A，其中Cr，Ti，Ni，Pt厚度为20A至2000A，Al和Au的厚度为2000A至50000A。
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