[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 200910265524.2 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101770946A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 小笠原幸辅;伊藤清仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的SiO2层(62)和作为处理对象层的硅层(61)的晶片W搬入到处理模块(25)的腔室(42)内，利用由NF3气体、HBr气体、O2气体和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物(65)堆积在SiO2层(62)表面，以确保作为掩模层的层厚，并且对硅层(61)进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，对包括作为掩模层的氧化膜和作为处理对象层的硅层的基板进行处理，该基板处理方法的特征在于，包括：沉积蚀刻步骤，利用由氟类气体、溴类气体、氧气和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积在所述氧化膜表面以确保作为所述掩模层的层厚，并对所述硅层进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
