[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 200910265524.2 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101770946A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 小笠原幸辅;伊藤清仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法，对包括作为掩模层的氧化膜和作为处理对 象层的硅层的基板进行处理，该基板处理方法的特征在于，包括：
沉积蚀刻步骤，利用由氟类气体、溴类气体、氧气和SiCl4气体的 混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积在所述氧化膜表面以确保作 为所述掩模层的层厚，并对所述硅层进行蚀刻，
将所述SiCl4气体的流量调整成相对于总处理气体流量为0.5～ 3％，
所述溴类气体为HBr气体。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述沉积蚀刻步骤或所述沉积步骤中，进一步添加氧气来促进 所述沉积物的堆积。
3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
对所述基板的处理在收容所述基板的密闭容器内进行，将所述沉 积蚀刻步骤和所述沉积步骤中的所述密闭容器内的压力调整为40Torr (5.32Pa)～300mTorr(3.99×10Pa)。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述氧化膜为SiO2膜。
5.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述氟类气体为NF3气体。
6.一种基板处理方法，对包括作为掩模层的氧化膜和作为处理对 象层的硅层的基板进行处理，该基板处理方法的特征在于，包括：
蚀刻步骤，利用由氟类气体、溴类气体和氧体的混合气体生成的 等离子体，对所述硅层进行蚀刻；和
沉积步骤，利用由溴类气体、氧气和SiCl4气体的混合气体生成的 等离子体，使沉积物堆积在所述氧化膜表面，
该基板处理方法交替反复进行所述蚀刻步骤和所述沉积步骤，
将所述沉积步骤中的所述SiCl4气体的流量调整成相对于总处理气 体流量为0.8～4.5％，
所述溴类气体为HBr气体。
7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
所述蚀刻步骤中的处理时间为30～180秒，所述沉积步骤中的处 理时间为15～60秒。
8.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述沉积蚀刻步骤或所述沉积步骤中，进一步添加氧气来促进 所述沉积物的堆积。
9.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
对所述基板的处理在收容所述基板的密闭容器内进行，将所述沉 积蚀刻步骤和所述沉积步骤中的所述密闭容器内的压力调整为40Torr (5.32Pa)～300mTorr(3.99×10Pa)。
10.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
所述氧化膜为SiO2膜。
11.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
所述氟类气体为NF3气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
