[发明专利]一种单晶薄膜太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 200910263048.0 | 申请日: | 2009-12-15 |
公开(公告)号: | CN101820008A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 张宏勇;邹福松 | 申请(专利权)人: | 江苏华创光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214213 江苏省宜兴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型高效薄膜太阳能电池包括衬底,衬底上设有一层Mo导电膜为背电极,导电膜上为N型单晶薄膜层,N型单晶硅薄膜层上扩散P型单晶硅层形成PN结,所述P型单晶硅层溅射TCO为前电极。本发明还公开了其制备工艺,在衬底上镀上一层导电反射金属膜,接着长一层N型的单晶膜,经激光扩散在N型单晶硅层上扩散出一层超薄的P层硅,再加一层TCO层,在这过层中需加三次激光划线,使电池形成串联结构,本发明由于采用单晶结构吸收太阳能,比较少的晶格缺陷可以很大程度上提高薄膜光电转化效率,其二由于采用的是薄膜形式原材料耗费较少可以极大程度地降低成本,其三工艺简单可重复性强衬底的可选择性多使其用途广泛,可产业化性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶薄膜太阳能电池,包括衬底,其特征在于,所述衬底上设有一层Mo导电膜构成背电极,Mo导电膜上为N型单晶薄膜层,N型单晶硅薄膜层上扩散P型单晶硅层形成PN结,所述P型单晶硅层上为TCO薄膜层构成的前电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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