[发明专利]一种单晶薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种单晶薄膜太阳能电池，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设有一层Mo导电膜构成背电极，Mo导电膜上为N型单晶薄膜层，N型单晶硅薄膜层上扩散P型单晶硅层形成PN结，所述P型单晶硅层上为TCO薄膜层构成的前电极。

2.一种单晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，在衬底上镀上一层导电膜形成背电极；

步骤二，在所述导电膜内刻划导电极；

步骤三，在导电膜上溅射N型单晶硅薄膜层；

步骤四，在N型单晶硅层上扩散一层P型单晶硅层形成PN结；

步骤五，在N型单晶硅层和P型单晶硅层内刻划第二导电极；

步骤六，在N型单晶硅层上设置前电极；

步骤七，在前电极内刻划第三导电极，使第一导电极、第二导电极以及第三导电极导通，最终获得所述单晶薄膜太阳能电池。

3.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述导电膜为Mo导电膜，厚度为0.6～1um。

4.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤二、步骤四和步骤七中采用波长为532nm的激光刻划导电极。

5.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤三中，耙材为单晶耙，采用磁控溅射低温镀膜，基底温度在100～200℃。

6.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤四中，采用低温激光扩散方式在N型单晶硅层上扩散出一层的P型单晶硅层，温度为350℃～450℃，扩散的结深为30～100nm。

7.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤六中，所述前电极为TCO薄膜层构成。