[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910262202.2 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101771013A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 小内聪;赤石实;石关浩史;佐野芳明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，其在铜配线上把铜引线进行引线接合而构成，抑制配线脱落和在铜引线下的绝缘膜出现裂纹的不好情况。本发明的半导体装置具备：在半导体基板(1)上形成的铜配线(8)、把所述铜配线(8)的表面和侧面覆盖地形成的镀敷层(10)、经由所述镀敷层(10)在所述铜配线(8)上进行引线接合的铜引线(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：在半导体基板上形成的铜配线、把所述铜配线的表面和侧面覆盖地形成的镀敷层、经由所述镀敷层在所述铜配线上进行引线接合的铜引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910262202.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
