[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 200910262084.5 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN101763904A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 朱锡镇 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C11/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杨林森;康建峰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种非易失性存储装置的操作方法,包括:执行读取操作来读取存储在包括第一单位组的第一存储单元块中的数据;从第一单位组中检测第二单位组,该第二单位组具有的在读取数据中包括的错误位的数量比设定位数多,且等于或少于可以通过错误检测和校正(ECC)处理校正的最大允许位数;以及在检测第二单位组之后,执行回写操作来将存储在第一存储单元块中的数据移动到第二存储单元块。本发明还公开了一种非易失性存储装置。
搜索关键词: 非易失性 存储 装置 及其 操作方法
【主权项】:
一种非易失性存储装置的操作方法,该方法包括:执行读取操作,以读取存储在包括第一单位组的第一存储单元块中的数据;从第一单位组中检测在数据中包括有多个错误位的第二单位组,其中所述错误位的数量比设定位数多,且等于或少于通过错误检测和校正(ECC)处理可校正的最大允许位数;以及在检测到第二单位组之后执行回写操作,以便将存储在所述第一存储单元块中的数据移动到第二存储单元块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910262084.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top