[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法有效
| 申请号: | 200910262084.5 | 申请日: | 2009-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN101763904A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
| 发明(设计)人: | 朱锡镇 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C11/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种非易失性存储装置的操作方法,该方法包括:
执行读取操作,以读取存储在具有多个页且包括第一单位组的第一存 储单元块中的数据;
在进行了所述第一存储单元块中包括的多个页的所有页的读取操作 之后,从第一单位组中检测在数据中包括有多个错误位的第二单位组,其 中所述错误位的数量比设定位数多,且等于或少于通过错误检验和校正处 理可校正的最大允许位数;以及
在检测到具有多个错误位的第二单位组之后执行回写操作,以便将存 储在所述第一存储单元块中的数据移动到第二存储单元块,
其中,从所述第一单位组当中将与最大允许位数相等或比最大允许位 数的50%多的错误位的数量检测为所述第二单位组,
其中执行所述回写操作包括:
通过在所述第一存储单元块中包括的第一字线上执行读取操作来读 取数据;
执行错误检验和校正处理来校正读取数据中包括的错误位;
通过在与所述第一存储单元块的所述第一字线相对应的所述第二存 储单元块的第一字线上执行编程操作来存储经错误校正的数据;以及
重复执行所述读取操作、所述错误检验和校正处理和所述编程操作, 直到存储在所述第一存储单元块中的所有数据被存储到所述第二存储单 元块中为止。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一存储单元块中包括 的单位页是所述第一单位组。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,将包括在第一存储单元块中的 单位页分为2至8个部分的扇区是第一单位组。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一单位组存储512位 或512字节数据、1024位或1024字节数据或者2048位或2048字节数据。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,检测第二单位组的步骤包括:
执行错误检验和校正处理,以根据错误检验和校正代码校正读取数据 中包括的错误位;
计数读取数据中包括的错误位的数量;以及
根据错误位的数量存储检测第二单位组的结果。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,从第一单位组当中将与最大允 许位数相等或比最大允许位数的70%多的错误位的数量检测为所述第二 单位组。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,当经错误校正的数据被存储 在所述第二存储单元块中时,也存储所述经错误校正的数据的错误检验和 校正代码。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在执行所述回写操作之后执行防止所述第一存储单元块被使用的无 效块处理。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在所述非易失性存储装置中 存储所述第一存储单元块的地址。
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