[发明专利]用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统

摘要

本发明公开了一种用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统。进一步，本发明涉及一种有效的提高用于将具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的成像性能的OPC方法。该方法包括步骤：确定用于形成模拟图像的函数，该函数表征与光刻过程相关的过程变化；和基于该函数优化每次OPC迭代中每个评估点的目标灰度。在一实施例中，该函数被近似为焦距和曝光的多项式函数，R(ε，f)＝P0+f2·Pb，对轮廓具有阈值T+Vε，其中PO表示名义焦距处的图像强度，f表示相对于名义焦距的散焦值，ε表示曝光变化，V表示曝光变化的缩放，以及参数“Pb”表示二阶导数图像。在一实施例中，在假定焦距和曝光变化的概率分布是高斯分布的情况下，给出最佳焦距的解析最优灰度。

主权项

一种用于最大化光刻过程的过程窗口的方法，包括步骤：计算过程条件参数的解析函数，所述解析函数近似目标图案中多个评估点中的每一个评估点的在过程窗口上的抗蚀剂图像值；基于所述解析函数确定每个评估点在名义条件下的所述抗蚀剂图像值的目标值，使得所述过程窗口被最大化；和采用所述目标值作为光学邻近效应校正迭代中每个评估点的优化目标。