[发明专利]半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法有效
| 申请号： | 200910259037.5 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101805916A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 和田浩司;坪田隆之;细川护;久本淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | C25D11/24 | 分类号： | C25D11/24;C25D11/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 液晶 制造 装置 表面 处理 构件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜后，浸渍于纯水中而对所述阳极氧化被膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其特征在于，在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。
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