[发明专利]半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造以铝合金或纯铝作为基材的半导体液晶制造装 置用表面处理构件的方法，所述半导体液晶制造装置用表面处理构件被优 选用作在干法蚀刻装置、CVD装置、离子注入装置、溅射装置等半导体 或液晶的制造设备等的真空腔，或该真空腔的内部中设置的构件的材料。

背景技术

过去广泛采用的是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面上形成 阳极氧化被膜，在该基材赋予耐等离子体性或耐气体腐蚀性等的阳极氧化 处理。

例如，通常使用铝合金形成在半导体制造设备的等离子体处理装置中 使用的真空腔以及在该真空腔的内部设置的电极等各种构件。但是，如果 在无垢的状态下使用该铝合金，则不能维持耐等离子体性或耐气体腐蚀性 等，所以通过在利用铝合金形成的构件的表面实施阳极氧化处理从而形成 阳极氧化被膜，从而赋予耐等离子体性或耐气体腐蚀性等来对应。

在半导体制造设备的等离子体处理装置中使用的真空腔以及在该真 空腔的内部设置的电极等各种构件在等离子体的物理能量的作用下，阳极 氧化被膜的磨损剧烈，阳极氧化被膜必需为高硬度，另外，如果在阳极氧 化被膜中存在裂缝，则会通过裂缝侵入气体从而腐蚀作为基材的铝合金， 所以阳极氧化被膜最好尽可能地不存在裂缝。

过去，作为使阳极氧化被膜成为高硬度化的方法，采用将形成阳极氧 化被膜时的电解液控制成低温的方法或利用高电流密度进行电解的方法， 但如果利用这些方法使阳极氧化被膜高硬度化，则存在使阳极氧化被膜的 裂缝的发生增加的趋势，另外，这些方法还存在必需高的能量的问题。因 此，对应各种构件的使用环境或要求价格来调整阳极氧化被膜的硬度与裂 缝的平衡，但目前不能充分地对应高硬度与低裂缝、还有对低价格的要求。

另外，作为使阳极氧化被膜成为高硬度化的方法，作为专利文献1， 提出了使用添加有醇的硫酸系电解液来形成高硬质的阳极氧化被膜的方 法。但是，该方法具有利用阳极氧化处理的电解液中的醇的浓度变化的管 理变得繁杂的问题点。

另外，作为专利文献2，记载了在对铝合金实施阳极氧化加工的表面 处理构件的表面，进一步形成氧化物喷镀被膜的方法，得到的被膜为高硬 度。但是，该方法存在的课题在于，用于形成氧化物喷镀被膜的处理非常 复杂，而且必需高价的设备，另外，不能适用于复杂形状部位。

专利文献1：特开2006-336081号公报

专利文献2：特开2004-332081号公报

专利文献3：特开平7-216588号公报

发明内容

本发明正是为了解决上述以往的问题而提出的，其课题在于提供一种 能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而 且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被 膜的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法。

本发明之一是一种半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法， 其是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化被膜，然后在 纯水中浸渍来水合处理所述阳极氧化被膜的半导体液晶制造装置用表面 处理构件的制造方法，其特征在于，

在满足处理温度：80℃～100℃、处理时间(分钟)≥-1.5×处理温 度(℃)+270的条件下实施所述水合处理。

本发明之二是根据本发明之一所述的半导体液晶制造装置用表面处 理构件的制造方法，其特征在于，

在所述水合处理之后，在满足处理温度：120℃～450℃、处理时间(分 钟)≥-0.1×处理温度(℃)+71的条件下实施热处理。

如果利用本发明之一所述的半导体液晶制造装置用表面处理构件的 制造方法，则可以利用规定了水合处理的处理时间及处理温度的极为简便 的方法，形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化被膜而且没有发生裂 缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡出色的阳极氧化被膜。

另外，本发明的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法中的 水合处理是使用处理温度为80℃～100℃的热水的处理，也不像使用加压 蒸气的水合处理那样必需特别的设备。