[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号: | 200910259023.3 | 申请日: | 2009-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN102097502A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 游萃蓉;蔡宗闵;陈国栋;林俊荣;吕晓玲;李春生 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商精曜有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 英属开*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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| 摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制作方法,该薄膜太阳能电池,包括一基板、一第一导电层、一催化材料层、一氧化物纳米结构、一本质层、一第一型半导体层以及一第二导电层。第一导电层配置于基板上。催化材料层配置于第一导电层上,其中催化材料层的材质为一金属化合物。氧化物纳米结构位于催化材料层上,其中氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物。本质层覆盖氧化物纳米结构。第一型半导体层配置于本质层上。第二导电层配置于第一型半导体层上。本发明亦提出一种薄膜太阳能电池的制作方法。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,其特征在于包括:一基板;一第一导电层,配置于该基板上;一催化材料层,配置于该第一导电层上,其中该催化材料层的材质为一金属化合物;一氧化物纳米结构,位于该催化材料层上,其中该氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物;一本质层,覆盖该氧化物纳米结构;一第一型半导体层,配置于该本质层上;以及一第二导电层,配置于该第一型半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





