[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910259023.3 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN102097502A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 游萃蓉;蔡宗闵;陈国栋;林俊荣;吕晓玲;李春生 申请(专利权)人: 英属开曼群岛商精曜有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 英属开*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制作方法,该薄膜太阳能电池,包括一基板、一第一导电层、一催化材料层、一氧化物纳米结构、一本质层、一第一型半导体层以及一第二导电层。第一导电层配置于基板上。催化材料层配置于第一导电层上,其中催化材料层的材质为一金属化合物。氧化物纳米结构位于催化材料层上,其中氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物。本质层覆盖氧化物纳米结构。第一型半导体层配置于本质层上。第二导电层配置于第一型半导体层上。本发明亦提出一种薄膜太阳能电池的制作方法。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,其特征在于包括:一基板;一第一导电层,配置于该基板上;一催化材料层,配置于该第一导电层上,其中该催化材料层的材质为一金属化合物;一氧化物纳米结构,位于该催化材料层上,其中该氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物;一本质层,覆盖该氧化物纳米结构;一第一型半导体层,配置于该本质层上;以及一第二导电层,配置于该第一型半导体层上。
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