[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于包括：

一基板；

一第一导电层，配置于该基板上；

一催化材料层，配置于该第一导电层上，其中该催化材料层的材质为一金属化合物；

一氧化物纳米结构，位于该催化材料层上，其中该氧化物纳米结构的材质为一金属氧化合物；

一本质层，覆盖该氧化物纳米结构；

一第一型半导体层，配置于该本质层上；以及

一第二导电层，配置于该第一型半导体层上。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该金属化合物包含钴、镍或铁元素。

3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该氧化物纳米结构的材质包含氧化钴、氧化镍、氧化铁等至少其一。

5.如权利要求4所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该氧化钴为四氧化三钴。

6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括一金属层，位于该第一导电层于该催化材料层之间。

7.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该金属层的材质为铜。

8.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍，而该氧化物纳米结构的材质为一氧化铜化合物。

9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体层为一N型半导体层。

10.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括一第二型半导体层，位于该氧化物纳米结构与该本质层之间，并覆盖该氧化物纳米结构。

11.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体为一N型半导体层，而该第二型半导体层为一P型半导体层。

12.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体为一P型半导体层，而该第二型半导体层为一N型半导体层。

13.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一导电层为透明导电层，其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一，而该第二导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

14.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第二导电层为透明导电层，其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一，而该第一导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

15.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层至少其一的表面为凹凸结构。

16.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该本质层包含一非晶硅层与一微晶硅层至少其一。

17.一种薄膜太阳能电池的制作方法，包括：

提供一基板；

形成一第一导电层于该基板上；

形成一催化材料层于该第一导电层上，其中该催化材料层的材质为一金属化合物；

对该催化材料层进行一热工艺，以形成一氧化物纳米结构；

覆盖一本质层于该氧化物纳米结构上；

形成一第一型半导体层于该本质层上；以及

形成一第二导电层于该第一型半导体层上。

18.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括于该氧化物纳米结构上形成一第二型半导体层，以覆盖该氧化物纳米结构，其中当该第一型半导体层为一P型半导体层，该第二型半导体层为一N型半导体层，而该当第一型半导体层为一N型半导体层，该第二型半导体层为一P型半导体层。

19.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，该催化材料层的材质为钨磷化钴、钨磷化钴、磷化镍、或钼磷化镍。