[发明专利]定向切割晶体任意晶面的简便方法

摘要

本发明公开了一种定向切割晶体任意晶面的简便方法，属于晶体材料切割加工技术领域，所述方法首先切割出任意平面作为参考面，再利用电子背散射衍射技术确定参考面的纵向、横向、法向指数，然后计算所需任意晶面与参考面的夹角，最后调整晶体切割方向，即可一次切割加工出符合要求的晶面。由于利用电子背散射衍射技术，将电子背散射衍射仪和传统的晶体材料切割装置结合起来，所以可将任意晶系的晶体定向切割出任意晶面，即使所需晶面为高指数衍射面或消光面，尤其适用于参考面取向未知、晶向偏离较大的晶体，而且定向准确度高，操作简便，节省晶体。

主权项

一种定向切割晶体任意晶面的简便方法，其特征在于包括以下步骤：(a)先将晶体用粘结剂粘在切割机托台上，再垂直于托台从晶体边缘处任意切割出一片厚度均匀的晶片，将晶片上靠近晶体的晶面作为参考面，参考面上垂直于托台向下方向作为纵向，平行于托台向右方向作为横向，纵向、横向与参考面法向符合坐标系的右手定则，然后将参考面研磨并抛光，直至完全去除表面形变层；(b)将晶片置于倾斜70°的样品台上，参考面朝上，且参考面横向与样品台倾斜轴平行，使用电子背散射衍射仪采集样品参考面的电子背散射衍射花样，再标定上述花样，得到以欧拉角(ψ1，φ，ψ2)表示的晶体取向，然后将欧拉角换算成密勒指数，得到参考面的纵向、横向、法向指数；(c)通过不同晶系的晶向夹角公式，计算出所需任意晶面的法线与参考面纵向、横向、法向之间的夹角α、β、γ；(d)根据参考面纵向、横向、法向之间的夹角α、β、γ，调整晶体的切割方向，一次切割加工出符合要求的晶面。