[发明专利]定向切割晶体任意晶面的简便方法

权利要求书

1.一种定向切割晶体任意晶面的简便方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)先将晶体用粘结剂粘在切割机托台上，再垂直于托台从晶体边缘处任意切割出一片 厚度均匀的晶片，将晶片上靠近晶体的晶面作为参考面，参考面上垂直于托台向下方向作为 纵向，平行于托台向右方向作为横向，纵向、横向与参考面法向符合坐标系的右手定则，然 后将参考面研磨并抛光，直至完全去除表面形变层；

(b)将晶片置于倾斜70°的样品台上，参考面朝上，且参考面横向与样品台倾斜轴平行， 使用电子背散射衍射仪采集样品参考面的电子背散射衍射花样，再标定上述花样，得到以欧 拉角(ψ₁，φ，Ψ₂)表示的晶体取向，然后将欧拉角换算成密勒指数，得到参考面的纵向、 横向、法向指数；

(c)通过不同晶系的晶向夹角公式，计算出所需任意晶面的法线与参考面纵向、横向、 法向之间的夹角α、β、γ；

(d)根据参考面纵向、横向、法向之间的夹角α、β、γ，调整晶体的切割方向，一次 切割加工出符合要求的晶面。

2.根据权利要求书1所述的定向切割晶体任意晶面的简便方法，其特征在于：所述参考 面是晶体上切割出的任意平面。

3.根据权利要求书1所述的定向切割晶体任意晶面的简便方法，其特征在于：采用电子 背散射衍射方法确定参考面的纵向、横向、法向指数。

4.根据权利要求书1所述的定向切割晶体任意晶面的简便方法，其特征在于：计算出所 需晶面的法线与参考面纵向、横向、法向之间的夹角α、β、γ之后，调整晶体切割方向， 只需通过一次切割，即可准确地加工出符合要求的晶面。