[发明专利]Mg2Si强化镁合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910254577.4 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101781720A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 徐春杰;孟令楠;郭学锋;张忠明 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C23/00;B22D21/04
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种Mg2Si强化镁合金的制备方法,首先将SiO2粉末或颗粒烘干;然后在纯镁锭、商用镁合金锭或自行配制的镁合金锭上钻孔,将按照合金中所需要Si的含量进行换算得出SiO2粉末或颗粒的质量并填充于纯镁锭、商用镁合金锭或自行配制的镁合金锭上的钻孔内;而后将铸锭放置于熔化坩埚内采用保护气体进行保护,或在工业商用覆盖溶剂保护条件下进行加热熔化,或采用在真空熔炼炉内充入氩气保护条件下进行加热熔化;最后当金属全部熔化后,采用机械搅拌或通入氩气进行充分搅拌,然后对其进行去渣后浇铸。本发明通过自生获得细小Mg2Si强化相的高强度耐热镁合金制备方法,包括熔化和铸造方法,扩大了含Mg2Si强化相的耐热镁合金的应用范围。
搜索关键词: mg sub si 强化 镁合金 制备 方法
【主权项】:
一种Mg2Si强化镁合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将SiO2粉末或颗粒在200~500℃的条件下烘干,烘干时间为0.5~2小时;步骤2,在纯镁锭、商用镁合金锭或自行配制的镁合金锭上钻孔,孔径的大小以能填充入所需的SiO2粉末或颗粒为准,根据合金中需要的Si含量,其中Si的质量按照Si∶SiO2为7∶15换算得出SiO2粉末或颗粒所需要的质量,按照换算得出的质量称取步骤1烘干的SiO2粉末或颗粒,并将其填充于纯镁锭、商用镁合金锭或自行配制的镁合金锭上的钻孔内;步骤3,将步骤2处理过的铸锭放置于坩埚内进行加热熔化,熔化过程中采用保护气体进行保护,或在工业商用覆盖溶剂保护条件下进行加热熔化,或采用在真空熔炼炉内充入氩气保护条件下进行加热熔化;步骤4,当镁或镁合金全部熔化后,采用机械搅拌或在熔融镁合金中通入氩气进行充分搅拌,搅拌时间为5~20分钟,然后进行去渣浇铸。
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