[发明专利]Mg2Si强化镁合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910254577.4 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101781720A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 徐春杰;孟令楠;郭学锋;张忠明 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C23/00;B22D21/04
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: mg sub si 强化 镁合金 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于有色金属材料制备工艺技术领域,涉及一种通过自生获得Mg2Si强化相的耐热镁合金的制备工艺,具体涉及一种Mg2Si强化镁合金的制备方法。

背景技术

随着现代工业的飞速发展,资源日趋贫化,能源日趋紧张,降低能耗已经成为市场竞争的契机,因此轻质工程材料的研究受到各工程领域越来越多的重视。镁及镁合金作为最轻的金属结构材料,具有较高的比强度、比刚度,同时具有良好的阻尼性能、导热、导电性能、电磁屏蔽性能和友好的环境特性及优良的铸造性能备受青睐,成为本世纪最有发展潜力的金属材料之一。然而,镁是密排六方结构,限制了镁合金的塑性变形能力。镁的力学性能较低,尤其是高温性能低,也限制了镁合金的应用。尽管目前已经开发出了不同系列的镁合金,德国等还开发出了AE、WE和MRI系列抗高温蠕变镁合金,但是这些系列合金使用了RE、Y、Sc、Th等贵金属,使合金成本和生产成本上升,限制了这些合金只能在导弹、高端小轿车上使用。

Mg2Si相为CaF2型面心立方晶体结构,具有高熔点(1087℃)、高硬度(HV0.5460)、高弹性模量(120GPa)、低密度(1.99g·cm-3)、低热膨胀系数(7.5×10-6K-1)和好的耐磨性、优良的高温性能和热稳定性,增强效果比较明显。含Mg2Si相的镁合金强化机理是在晶界处形成细小弥散分布的稳定析出相Mg2Si。镁的反应体系主要包括Mg-Mg2Si,Mg-MgO等,因此,Mg2Si相可以在镁合金中使用低廉的Si原位自生反应生成,以提高镁合金的高温力学性能。

然而,作为质量最轻、比强度高的镁及其合金,由于其熔点低,极易氧化燃烧,给原位自生反应获得Mg2Si强化相的镁合金研究和开发带来了困难。尽管德国已经于上世纪70年代开发了廉价的AS(Mg-4Al-1Si及Mg-2Al-1Si等)系列合金,但是直接将Si加入镁合金后会形成粗大的汉字状或块状Mg2Si相,降低了镁合金的力学性能,只适于冷速较快的压铸。当Si的质量分数小于0.5%时,Mg2Si相呈细小短棒状或细片状;当Si的质量分数为1.0%时,增强效果最明显;当Si含量超过1%以后会形成多棱面的粗大枝晶状和块状Mg2Si相,引起材料性能的下降,从而大大降低合金液的流动性,使得合金的铸造性能极度恶化。

当Si含量小于1%时可以通过直接加入Si块或Si粉获得汉字状或点状的Mg2Si相,而含量超过1%时,由于Mg2Si相的高熔点,使合金的熔点大幅提高,不利于原子的扩散形成Mg2Si相。另外,镁或镁合金的密度通常只有1.74-2.1g·cm-3,熔点为~649℃,而硅的密度为2.33g·cm-3,熔点为1412℃,在合金配制过程中Si将沉淀于镁合金液的底部,Si只能通过扩散进入镁液中,这使自生获得含Mg2Si相的镁合金配置极为困难。

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