[发明专利]外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法有效
| 申请号： | 200910254174.X | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101783288A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | J·哈贝雷希特;C·哈格尔;G·布伦宁格 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的目的可通过用于制造外延涂覆的硅晶片的第一种方法来实现，其中提供多个至少在正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，其中将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一步骤中仅在氢气氛下实施预处理，以及在第二步骤中在向所述氢气氛中加入流速为1.5-5slm的蚀刻介质的情况下实施预处理，在两个步骤中氢气流速均为1-100slm，随后在其经抛光的正面上实施外延涂覆，并从外延反应器中取出。在根据本发明的第二种方法中，通过注射器引入反应室内的气流可以利用阀门分配到反应室的外区和内区中，使得内区中的气流作用在硅晶片中心周围的区域上，外区中的气流作用在硅晶片的边缘区域上，蚀刻介质在内区和外区中的分布为I/O＝0-0.75。本发明可以制造一种硅晶片，其具有正面和背面，其中至少其正面经过抛光且至少其正面上涂覆有外延层，相对于2mm的边缘排除部分，其总体平直度值GBIR为0.02-0.06μm。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于制造外延涂覆的硅晶片的方法，其中提供多个至少其正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，其中将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一步骤中仅在氢气氛下实施预处理，以及在第二步骤中在向所述氢气氛中加入流速为1.5-5slm的蚀刻介质的情况下实施预处理，在两个步骤中氢气流速均为1-100slm，随后在其经抛光的正面上实施外延涂覆，并从外延反应器中取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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