[发明专利]一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法，根据本发明的沟槽金属氧化物半导体场效应管其外延层中沟槽栅的底部相对与沟槽栅的侧壁具有较厚的绝缘层。本发明的制造方法避免了现有技术中利用LOCOS方法生长沟槽栅底部较厚绝缘层所产生的鸟喙效应。同时，根据本发明的浅沟槽金属氧化物半导体场效应管具有较低的Qgd和较低的Rds。

主权项

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成外延层以及在外延层上表面提供一层硬膜的工序；在所述硬膜的上表面提供沟槽掩模板以及刻蚀所述硬膜和所述外延层形成所述多个沟槽的工序；形成牺牲氧化层以及通过移除该牺牲氧化层消除刻蚀过程引入缺陷的工序；在所述多个沟槽的内表面形成屏蔽氧化层的工序；进行与所述外延层相同导电类型掺杂剂的离子注入的工序；移除所述屏蔽氧化层和所述硬膜的工序；在所述多个沟槽的内表面和所述外延层的上表面形成氧化层作为第一绝缘层的工序；在所述第一绝缘层上形成未掺杂的多晶硅层或非晶硅层的工序；在所述未掺杂的多晶硅层或非晶硅层上形成氮化物层的工序；对所述氮化物层进行各向异性刻蚀仅保留位于所述多个沟槽侧壁的氮化物层的工序；和对位于所述多个沟槽底部和所述外延层上表面的未掺杂的多晶硅层或非晶硅层进行氧化形成氧化层的工序，使得位于所述多个沟槽底部和所述外延层上表面的氧化层的厚度大于沿所述多个沟槽侧壁的氧化层的厚度。