[发明专利]光学记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 200910253164.4 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101751951A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 猪狩孝洋 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光学记录介质及其制造方法。光学记录介质包括：基板；信息信号层，设置在基板上；以及保护层，设置在信息信号层上。该信息信号层设置有反射层、设置在该反射层上的记录层以及依次层叠在该记录层上的第一、第二和第三介电层。第一、第二和第三介电层的折射系数在彼此相邻的介电层之间彼此不同。在第一、第二和第三介电层中，具有最高折射系数的介电层包含选自氧化钛、氧化铌以及硫化锌和氧化硅的混合物构成的组中的至少一种作为主成分。具有最高折射系数的介电层在405nm波长处具有2.3以上的折射系数。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光学记录介质，包括：基板；信息信号层，设置在所述基板上；以及保护层，设置在所述信息信号层上，其中所述信息信号层设置有：反射层，记录层，设置在所述反射层上，以及第一介电层、第二介电层和第三介电层，依次层叠在所述记录层上，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的折射系数在彼此相邻的介电层之间彼此不同，在所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中，具有最高折射系数的所述介电层包含选自由硫化锌和氧化硅的混合物、氧化钛、氧化铌构成的组中的至少一种作为主成分，并且所述具有最高折射系数的介电层在405nm波长处具有2.3以上的折射系数。
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