[发明专利]光学记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种光学记录介质，包括：

基板；

信息信号层，设置在所述基板上；以及

保护层，设置在所述信息信号层上，其中

所述信息信号层设置有：

反射层，

记录层，设置在所述反射层上，以及

第一介电层、第二介电层和第三介电层，依次层叠在所述记录层 上，

所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的折射系数在彼此 相邻的介电层之间彼此不同，

在所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中，具有最高折 射系数的所述介电层包含选自由硫化锌和氧化硅的混合物、氧化钛、氧化铌 构成的组中的至少一种作为主成分，

所述具有最高折射系数的介电层在405nm波长处具有2.3以上的折射系 数，并且

在所述信息信号层和所述保护层之间设置有另一信息信号层。

2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

当所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的折射系数分别 定义为n1、n2和n3时，所述折射系数n1、n2和n3满足关系式n1＞n2＞n3。

3.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

当所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的折射系数分别 定义为n1、n2和n3时，所述折射系数n1、n2和n3满足关系式n2＞n1和 n2＞n3。

4.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的层叠膜是通过层 叠低折射系数层、中折射系数层和高折射系数层中的至少两种层的三层所获 得的层叠膜；

所述低折射系数层的折射系数在405nm波长处低于2.30；

所述中折射系数层的折射系数在405nm波长处为2.30以上且小于2.55； 并且

所述高折射系数层的折射系数在405nm波长处为2.55以上。

5.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

所述硫化锌的含量的原子百分比为70％以上而不大于90％，并且所述 氧化硅的含量的原子百分比为10％以上而不大于30％。

6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

所述基板具有第一区域和第二区域；并且

沿所述基板的圆周方向延伸的多个凹槽布置在所述基板的所述第一区 域中。

7.根据权利要求6所述的光学记录介质，其中

横过所述多个凹槽的记录标记形成在所述第一区域的所述记录层中。

8.根据权利要求7所述的光学记录介质，其中

所述记录标记具有矩形形状。

9.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

所述基板具有第一区域和第二区域；

沿所述基板的圆周方向延伸的多个凹槽分别布置在所述基板的所述第 一区域和所述第二区域中；并且

所述第一区域的凹槽浅于或窄于所述第二区域的凹槽。

10.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中

所述记录层包含共晶体系相变材料。

11.一种制造光学记录介质的方法，包括如下步骤：

在基板上形成信息信号层；以及

在所述信息信号层上形成保护层，其中

形成信息信号层包括在所述基板上依次层叠记录层、第一介电层、第二 介电层和第三介电层，

所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的折射系数在彼此 相邻的介电层之间彼此不同，

在所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中，具有最高折 射系数的介电层包含选自由硫化锌和氧化硅的混合物、氧化钛、氧化铌构成 的组中的至少一种作为主成分，并且

所述具有最高折射系数的介电层在405nm波长处具有2.3以上的折射系 数，

所述方法还包括在所述信息信号层和所述保护层之间设置另一信息信 号层。

12.一种光学记录介质，包括：

基板；

信息信号层，设置在所述基板上；以及

保护层，设置在所述信息信号层上，其中

所述信息信号层设置有：

反射层，

记录层，设置在所述反射层上，以及

第一介电层、第二介电层和第三介电层，依次层叠在所述记录层 上，

所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层的折射系数在彼此 相邻的介电层之间彼此不同，

在所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中，具有最高折 射系数的介电层在405nm波长处具有2.3以上的折射系数，并且

在所述信息信号层和所述保护层之间设置有另一信息信号层。