[发明专利]刻蚀多晶硅层的工艺、MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 200910251363.1 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102087970A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王乐;张明敏;邵永军;匡金 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种刻蚀多晶硅层的工艺、MOS晶体管的形成方法。其中刻蚀多晶硅层的工艺，包括：提供形成有多晶硅层的半导体衬底；在多晶硅层上形成第一氧化层；刻蚀至少包含器件结构位置的第一氧化层，形成开口；在第一氧化层和多晶硅层上形成阻挡层；刻蚀阻挡层，在第一氧化层侧壁形成侧墙，所述侧墙位于开口内与器件结构位置对应；去除侧墙位置以外的第一氧化层；以侧墙为掩膜，刻蚀第多晶硅层，形成器件结构；去除侧墙。本发明用低成本实现高精度的多晶硅小线宽刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 多晶 工艺 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，包括：提供形成有多晶硅层的半导体衬底；在多晶硅层上形成第一氧化层；刻蚀至少包含器件结构位置的第一氧化层，形成开口；在第一氧化层和多晶硅层上形成阻挡层；刻蚀阻挡层，在第一氧化层侧壁形成侧墙，所述侧墙位于开口内与器件结构位置对应；去除侧墙位置以外的第一氧化层；以侧墙为掩膜，刻蚀第多晶硅层，形成器件结构；去除侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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