[发明专利]刻蚀多晶硅层的工艺、MOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，包括：

提供形成有多晶硅层的半导体衬底；

在多晶硅层上形成第一氧化层；

刻蚀至少包含器件结构位置的第一氧化层，形成开口；

在第一氧化层和多晶硅层上形成阻挡层；

刻蚀阻挡层，在第一氧化层侧壁形成侧墙，所述侧墙位于开口内与器件结构位置对应；

去除侧墙位置以外的第一氧化层；

以侧墙为掩膜，刻蚀第多晶硅层，形成器件结构；

去除侧墙。

2.根据权利要求1所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，在形成阻挡层之前还包括步骤：在第一氧化层和多晶硅层上形成第二氧化层。

3.根据权利要求2所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，所述第一氧化层和第二氧化层的材料为正硅酸乙酯或其它含硅氧化物。

4.根据权利要求3所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，形成所述第一氧化层和第二氧化层的方法为低压化学气相沉积法。

5.根据权利要求4所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为3000埃～5000埃，第二氧化层的厚度为100埃～200埃。

6.根据权利要求1所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅或氮氧化硅，厚度为500埃～2000埃。

7.根据权利要求5所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，形成所述阻挡层的方法为物理气相沉积或化学气相沉积法。

8.根据权利要求6所述刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，刻蚀阻挡层形成侧墙的方法为回蚀法。

9.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上依次形成栅介电层和多晶硅层；

在多晶硅层上形成第一氧化层；

刻蚀至少包含栅极位置的第一氧化层，形成开口；

在第一氧化层和多晶硅层上形成阻挡层；

刻蚀阻挡层，在第一氧化层侧壁形成侧墙，所述侧墙位于开口内与栅极位置对应；

去除侧墙位置以外的第一氧化层；

以侧墙为掩膜，刻蚀多晶硅层，形成栅极；

去除侧墙后，依次在栅极两侧的半导体衬底中形成源漏极延伸区，在栅极两侧形成间隙壁，在栅极两侧的半导体衬底中形成源极/漏极。

10.根据权利要求9所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，在形成阻挡层之前还包括步骤：在第一氧化层和多晶硅层上形成第二氧化层。

11.根据权利要求10所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层和第二氧化层的材料为正硅酸乙酯或其它含硅氧化物。

12.根据权利要求11所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化层和第二氧化层的方法为低压化学气相沉积法。

13.根据权利要求12所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为3000埃～5000埃，第二氧化层的厚度为100埃～200埃。

14.根据权利要求9所述MOS晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀阻挡层形成侧墙的方法为回蚀法。