[发明专利]一种印痕提取纳米荧光粉的制备方法

摘要

本发明公开了一种印痕提取纳米荧光粉的制备方法，这种方法基于纳米技术，以层状蒙脱土为载体，将II-VI族半导体量子点嵌入蒙脱土层间，通过蒙脱土插层负载克服了该类半导体量子点纳米荧光粉易氧化变质这一关键技术问题，在保持半导体量子点高效荧光效率的基础上，提高了其粘附性。本制备方法过程简单成本低，制备出的印痕显现和提取用纳米荧光粉对新鲜的或者陈旧性指纹的粘附性好，指纹显现时分辨率高、背景干扰小，具有提取效率高、陈旧指纹显现明显的特点，在现代刑事科学中具有重要的应用价值。

主权项

一种印痕提取纳米荧光粉的制备方法，以纳米技术将具有高效荧光特性的II-VI族半导体量子点CdTe嵌入具有很强粘附能力的蒙脱上基质层间，其特征是：插层负载载体为蒙脱土，插层负载物为II-VI族半导体量子点CdTe，II-VI族半导体量子点与蒙脱土的比例为1∶15-25，按质量分数23％-85％的比例将Cd(ClO4)2·6H2O加入到蒙脱土悬浮液溶液中，在20-100℃范围内，搅拌反应1-24小时，后在其中加入摩尔比为5∶1-1∶5的另一种前驱物NaHTe，然后加入摩尔比为1∶1-10的表面保护剂巯基乙酸，调节溶液pH值为8-10之间，在氮气气氛保护下，回流搅拌反应2-96小时，制备获得基于蒙脱土插层负载II-VI族半导体量子点的印痕显现和提取纳米荧光粉悬浮液，将该悬浮液在紫外灯下激发，获得具有不同发光颜色的纳米荧光粉悬浮液，用水、乙醇分别清洗，离心真空干燥即得基于蒙脱土插层负载II-VI族半导体量子点的印痕显现和提取纳米荧光粉。