[发明专利]一种印痕提取纳米荧光粉的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种纳米荧光粉的制备方法，特别指应用于刑侦中现 场指纹等潜在印痕显现和提取的纳米荧光粉制备方法。

背景技术

指纹等潜在印痕显现和提取技术是刑事侦查人员日常工作中运 用最广泛的一门技术。印痕显现和提取方法是否得当、印痕提取物质 选用是否合理、印痕提取物质信号的强度和分辨率等因素都将直接影 响刑事侦查案件破获的效率和准确性。

目前，潜在印痕显现和提取技术面临两大难题需要解决。一、由 于客体的复杂性和潜在印痕遗留的时效性，印痕显现和提取急需高 效、高灵敏度和显现度的印痕提取物质及相关有效检测手段；二、目 前利用粉末刷显法进行印痕的显现和提取时，常需要使用具有一定毒 副作用的显现提取试剂，这对刑侦人员的身体健康具有极大的损害。 鉴于上述情况，近年来科研人员开始将纳米技术同光致发光法等传统 印痕显现方法相结合，寻找基于纳米技术的高效、无损、廉价和无毒 副作用的荧光型印痕提取剂和显现技术。然而，由于该项技术的前沿 性和复杂性，有关新型纳米印痕提取荧光粉的制备方法还未见报道。

传统印痕显现、提取技术通常对新鲜印痕十分有效，而对超过一 定时间的潜在印痕显现则不甚理想，有时无法做到对印痕的有效提 取，而最常用粉末刷显法也不例外。目前刑侦中所使用的可用于印痕 显现和提取的粉末类提取试剂主要有铝粉、青铜粉、磁性粉、荧光粉。 其中通常广泛使用的荧光粉末为蒽和ΦKπ-03荧光粉末。蒽粉 (C₆H₄(CH)₂C₆H₄)是一种在紫外光激发下能发出荧光的淡黄色粉末， 其颗粒粗，附着力相对较差，适用于彩色物面上遗留印痕的显现和提 取。ΦKπ-03荧光粉末是一种细度为200目左右、在紫外光激发下 可发出强荧光的淡黄色粉末。它的组成结构是每粒粉末的中心核为硫 化锌，核外包有一层氧化铀，最外层由二氧化硅包膜。这种粉末的附 着力强、不结块、流动性好，利用抖显的方法可用于绝大多数光滑及 半渗透性客体上的指纹显现。

II-VI族半导体纳米发光粒子，也称为II-VI族半导体量子点， 是一种有别于传统荧光材料的新型发光材料，它具有优异的荧光特 性。由于其显著量子限域效应，半导体量子点发光具有发光强、效率 高、颜色可调变等诸多特性，在光电子、信息及生物医学等领域具有 重要应用，其在刑事科学中应用的研究也引起了人们极大的兴趣，有 关II-VI族半导体量子点溶液尝试用于指纹显现已有报道，但将 II-VI族半导体量子点制成纳米荧光粉，并将其应用于刑侦科学中， 利用粉末刷显法进行指纹显现和提取的研究还未见报道。但是，由于 多数II-VI族半导体量子点制成粉末后易发生氧化变质，这使其荧光 强度和发光效率大大衰减，无法做到长期保存和使用。因而限制了其 在一些刑事科学领域的应用。

蒙脱土(Montmorillonite)是一种粘土矿物，属于典型的层状硅 酸盐之一，但是与其它层状硅酸盐矿物不同之点是层与层之间空隙特 别大，这样就可在层与层中通过原为合成、交换等手段将II-VI族半 导体量子点嵌入蒙脱土层间。这样，蒙脱土就可以作为有效载体，稳 定半导体量子点，使其不易氧化变质，同时荧光强度和发光效率维持 稳定高效。研制一种利用蒙脱土插层负载II-VI族半导体量子点的方 法，即可解决II-VI族半导体量子点粉末易氧化变质的问题，半导体 量子点的荧光信号强度和效率不会发生变化，并可长期稳定保存，作 为高效纳米荧光粉用于指纹显现和提取。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种印痕提取纳米荧光粉的制 备方法，这种方法基于纳米技术，以层状蒙脱土为载体，将高效、荧 光性能优异的II-VI族半导体量子点CdTe嵌入蒙脱土层间，制备出 一种印痕提取纳米荧光粉，这种印痕提取纳米荧光粉具有提取效率 高、陈旧指纹显现明显、提取效果好等特点，在现代刑事科学中具有 重要的应用价值。