[发明专利]监测半导体衬底中硅损伤的方法有效
| 申请号： | 200910247208.2 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110586A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 任红茹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测半导体衬底中的硅损伤的方法，在半导体衬底上形成芯片中器件的有源区，同时在芯片之间的切割道上形成有源区；形成器件的栅极，同时在芯片之间的切割道上形成分别与切割道中的有源区交叉的多组栅极，所述多组栅极之间的距离不大于0.5微米；形成器件的栅电极，同时形成切割道上栅极的栅电极；测量所形成的多组栅极之间的漏电流和/或击穿电压，以确定所述半导体衬底中是否存在硅损伤。该方法在形成器件的有源区、栅极和栅电极的同时，在切割道上形成监测用版图，因而可以通过测试切割道上监测用版图的电学参数，确定半导体衬底中是否存在硅损伤，从而在不增加工艺步骤的情况下提高了硅损伤监测的有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 半导体 衬底 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种监测半导体衬底中的硅损伤的方法，包括：在半导体衬底上形成芯片中器件的有源区，同时在芯片之间的切割道上形成有源区；形成器件的栅极，同时在芯片之间的切割道上形成分别与切割道中的有源区交叉的多组栅极，所述多组栅极之间的距离不大于0.5微米；形成器件的栅电极，同时形成切割道上栅极的栅电极；测量所述切割道上多组栅极之间的漏电流和/或击穿电压，以确定所述半导体衬底中是否存在硅损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
